- Visi produkti
- Discrete Semiconductor Products
-
LV GaN HEMT
18 Atrasti produkti
Attēls | Daļa Nr. | Ražotājs | Datu lapas | Apraksts | Pieejamība | Daudzums | RoHS | Rūpnīcas izpildes laiks | Dzīves cikla statuss | RoHS statuss |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
INN040W048A | Innoscience |
Bi-directional GaN-on-Silicon enhancement mode ...
|
Noliktavā
|
|
8 Nedēļas | AKTĪVS (pēdējoreiz atjaunināts: pirms 2 dienām) | Saderīgs ar RoHS | |||
|
||||||||||
INN040W080A | Innoscience |
Bi-directional GaN-on-Silicon enhancement mode ...
|
Noliktavā
|
|
8 Nedēļas | AKTĪVS (pēdējoreiz atjaunināts: pirms 2 dienām) | Saderīgs ar RoHS | |||
|
||||||||||
INN040W120A | Innoscience |
Bi-directional GaN-on-Silicon enhancement mode ...
|
Noliktavā
|
|
8 Nedēļas | AKTĪVS (pēdējoreiz atjaunināts: pirms 2 dienām) | Saderīgs ar RoHS | |||
|
||||||||||
INN040FQ012A | Innoscience |
Bi-directional GaN-on-Silicon enhancement mode ...
|
Noliktavā
|
|
8 Nedēļas | AKTĪVS (pēdējoreiz atjaunināts: pirms 2 dienām) | Saderīgs ar RoHS | |||
|
||||||||||
INN040FQ015A | Innoscience |
GaN-on-Silicon enhancement mode high-electron-m...
|
Noliktavā
|
|
8 Nedēļas | AKTĪVS (pēdējoreiz atjaunināts: pirms 2 dienām) | Saderīgs ar RoHS | |||
|
||||||||||
INN040FQ043A | Innoscience |
GaN-on-Silicon enhancement mode high-electron-m...
|
Noliktavā
|
|
8 Nedēļas | AKTĪVS (pēdējoreiz atjaunināts: pirms 2 dienām) | Saderīgs ar RoHS | |||
|
||||||||||
INN80LA01 | Innoscience |
GaN-on-Silicon enhancement mode high-electron-m...
|
Noliktavā
|
|
8 Nedēļas | AKTĪVS (pēdējoreiz atjaunināts: pirms 2 dienām) | Saderīgs ar RoHS | |||
|
||||||||||
INN100W032A | Innoscience |
GaN-on-Silicon enhancement mode high-electron-m...
|
Noliktavā
|
|
8 Nedēļas | AKTĪVS (pēdējoreiz atjaunināts: pirms 2 dienām) | Saderīgs ar RoHS | |||
|
||||||||||
INN100W027A | Innoscience |
GaN-on-Silicon enhancement mode high-electron-m...
|
Noliktavā
|
|
8 Nedēļas | AKTĪVS (pēdējoreiz atjaunināts: pirms 2 dienām) | Saderīgs ar RoHS | |||
|
||||||||||
INN100W070A | Innoscience |
GaN-on-Silicon enhancement mode high-electron-m...
|
Noliktavā
|
|
8 Nedēļas | AKTĪVS (pēdējoreiz atjaunināts: pirms 2 dienām) | Saderīgs ar RoHS | |||
|